黄伟判断，移动芯片仍处于稳定迭代周期内。目前移动芯片的性能已经提升了10%~20%，工艺将从现在的14纳米升级到7纳米，并实现Cat12。主要芯片企业的核心参数差距缩小，资源智能调度、功耗均衡等全方位优化成为加分项。视频、游戏类应用对GPU的能力需求开始释放，2017年MTK和海思都将有密集升级。
“芯片的通信能力也在不断加强，全网通成为主流。”黄伟认为，我国移动芯片技术逐渐与国际主流同步，国产化率逐年提升，但是市场份额依旧较少。海思在移动芯片设计方面基本与高通同步，设计工艺上开始采用与高通同代的16/14纳米，已取得ARMv8架构授权并展开对基础架构的自研；展讯和联芯的多模多频LTE芯片于今年上半年开始规模商用，后续升级将集中在64位平台和20纳米或更高设计工艺方面。目前国内2G和3G芯片市场格局较为稳定，国产化率为20%左右；4G市场近期内仍存较大变化，海思、展讯、联芯等国产4G芯片正快速规模出货。
在本届展会上，中兴、华为、大唐、爱立信等通信设备制造企业都对其5G产品和解决方案进行了大规模的展示。他分析说，高速率低功耗和高频段的射频前端设计是5G的技术难点所在。5G对芯片设计的挑战更大，尤其是在SoC功耗控制以及射频前端积累方面。高通和MTK的第一版5G SoC将在2018年后推出，2019年以单模机的形式实现商用部署，高通、MTK和台湾工业技术研究院等企业与机构也在进行毫米波射频技术的研发。他补充说，5G正式商用之前，LTE多模多频、多核64位、更高工艺制程等仍是长期演进方向，但路径选择和竞争加剧也让市场充满不确定性。
本届展会上有不少工业物联网、车联网、智慧家庭的应用。黄伟表示，物联网应用场景在不断丰富，预计2020年能形成千亿元级别的产业，这对芯片的计算、存储、传感、连接能力提出了更高的要求。
黄伟判断，物联网芯片加速向32位、低功耗和高集成度“MCU+”方向演进。据介绍，物联网芯片主要包括MCU（微控制单元）、RFIC、Sensor三类，目前，MCU出货量快速增长，32位MCU市场占比超过一半，加速成为市场主流，高集成、低功耗、微型化、多功能成为MCU未来演进趋势。
黄伟认为，MEMS（微机电系统）将引领传感器技术产业变革。 MEMS技术特点与传感器创新发展方向高度契合，已成为移动互联网、物联网时代技术产业变革的重要驱动力之一。欧美大厂引领移动传感器向集成化、智能化演进。组合传感器因具备小巧、低功耗、低成本等优势而备受青睐，目前市场主要存在6轴、9轴和10轴组合传感器，其中运动类传感器应用最为广泛，约占整体市场的65%。指纹、心率、有害辐射等新兴传感器产品应用规模较小，厂商集中且多以分立方式提供。此外，整合软件算法提升传感器智能化水平成为明显趋势。传感器集成度提升促进平均售价急速下滑，众多传感器厂商纷纷通过合作并购加快融合发展、提升产品附加值。黄伟表示，移动MEMS传感器市场竞争激烈，我国技术基础相对薄弱。我国移动传感器市场规模、产品品类和技术工艺存在较大提升空间。
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